تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : بحث مدعم 
عنوان الوثيقة :
دراسة وصلات شوتكي لأفلام النترات الثلاثية .
Study links Schottky three nitrate films
 
لغة الوثيقة : العربية 
المستخلص : هذا هو التقرير النهائي للبحث ويتضمن نتائج وقياسات CVT , IVT في توصيلة Ni-Au شوتكس ( Schottky ) لشريحة A10.3Ga0.7N . تفاصيل تركيب وهندسة المواد عرضت في هذا التقرير الأول وتم دراسة ثلاث وصلات Schottky مختلفة المساحات في هذا البحث . ولقد أظهرت قياسات IVT في كل العينات سكوكيات متماثلة . ولوحظ زيادة معامل المثالية n مع تناقص درجة الحرارة . من جهة آخرى فإن إرتفاع حواجز شوتكي ( Schottky ) يزداد مع إزدياد درجات الحرارة . وهذا يفسر على أساس تناقص المركبة الرتمونية للتيار العاكسي أي حالة تشبع وهي دالة في درجة الحرارة . ولقد تم تفسير ذلك على أساس أن ميكانيكية الإحتراق الحرارية مسيطره في المجال المرتفعة . ولم تظمن دراسات CVT سلوكيات oc V C-2 وهذا نشئ عن نضوب الطبقة النشطة لشريحة AlGaN حتى عند الصفر. هذا يعطي استقلالية المكثف عن الجهد المطبق كما تم ملاحظته فعلاً . 
سنة النشر : 1426 هـ
2006 م
 
اسم الداعم : جامعة الملك عبدالعزيز 
سنة الدعم : 1426 هـ
2006 م
 
تاريخ الاضافة على الموقع : Wednesday, April 30, 2008 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
محمد سعيد الأحمديalahmadi, mohammed saeidباحث رئيسيدكتوراه 

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 30468.docx docx 

تحميل الصفحة

الرجوع إلى صفحة الأبحاث