الصفحة الرئيسية
عن العمـــــادة
نبذه عن العمادة
كلمة العميد
الرؤية
الرسالة
سياسة الجودة
الكتيب التعريفي
الخطة الاستراتيجية البحثية
دليل المنسوبين
مستشاري العمادة
وكالات العمادة
وكالة العمادة للمجموعات البحثية
وكالة العمادة للأبحاث
وحدة تعزيز التعاون البحثي الخارجي
البرنامج العام للنشر المصنف
وكالة العمادة بشطر الطالبات
البرامج البحثيــة
برامج الأبحاث الداخلية
برنامج الدعم المصنف
برامج الأبحاث الخارجية
برنامج المجموعات البحثية
نبذه عن المجموعات البحثية
المجموعات البحثية النشطة
ضوابط انشاء مجموعة بحثية جديدة
خدمات الباحثين
برامج كشف الاستلال
شعبة نشر استبانات أعضاء هيئة التدريس
البرامج واللقاءات البحثية
خدمة الدعم الذكي
استفسارات الباحثين
نماذج البرامج البحثية
الإنتاج البحثي للتمويل المؤسسي
ادلة إرشادية
مكافأة التميز
مكافأة التميز
بوابة أبحاثي
ضوابط الحصول على مكافأة التميز
الوسائط الرقمية
الوسائط الرقمية
الفعاليات والجوائز
جوائز التميز المعرفي
جوائز التميز المعرفي
الفائزون بجوائز التميز المعرفي
أسبوع البحث العلمي
أسبوع البحث العلمي الرابع عشر
برنامج منارات بحثية
احصائيات منارات بحثية
جدول منارات بحثية
فعاليات العمادة للمنسوبين
الانتاج العلمي والبحثي
الإنتاج البحثي للتمويل المؤسسي
English
آخر الأخبار
الملفات
عربي
English
عن الجامعة
القبول
الأكاديمية
البحث والإبتكار
الحياة الجامعية
الخدمات الإلكترونية
صفحة البحث
عمادة البحث العلمي
تفاصيل الوثيقة
نوع الوثيقة
:
بحث مدعم
عنوان الوثيقة
:
دراسة وصلات شوتكي لأفلام النترات الثلاثية .
Study links Schottky three nitrate films
لغة الوثيقة
:
العربية
المستخلص
:
هذا هو التقرير النهائي للبحث ويتضمن نتائج وقياسات CVT , IVT في توصيلة Ni-Au شوتكس ( Schottky ) لشريحة A10.3Ga0.7N . تفاصيل تركيب وهندسة المواد عرضت في هذا التقرير الأول وتم دراسة ثلاث وصلات Schottky مختلفة المساحات في هذا البحث . ولقد أظهرت قياسات IVT في كل العينات سكوكيات متماثلة . ولوحظ زيادة معامل المثالية n مع تناقص درجة الحرارة . من جهة آخرى فإن إرتفاع حواجز شوتكي ( Schottky ) يزداد مع إزدياد درجات الحرارة . وهذا يفسر على أساس تناقص المركبة الرتمونية للتيار العاكسي أي حالة تشبع وهي دالة في درجة الحرارة . ولقد تم تفسير ذلك على أساس أن ميكانيكية الإحتراق الحرارية مسيطره في المجال المرتفعة . ولم تظمن دراسات CVT سلوكيات oc V C-2 وهذا نشئ عن نضوب الطبقة النشطة لشريحة AlGaN حتى عند الصفر. هذا يعطي استقلالية المكثف عن الجهد المطبق كما تم ملاحظته فعلاً .
سنة النشر
:
1426 هـ
2006 م
اسم الداعم
:
جامعة الملك عبدالعزيز
سنة الدعم
:
1426 هـ
2006 م
تاريخ الاضافة على الموقع
:
Wednesday, April 30, 2008
الباحثون
اسم الباحث (عربي)
اسم الباحث (انجليزي)
نوع الباحث
المرتبة العلمية
البريد الالكتروني
محمد سعيد الأحمدي
alahmadi, mohammed saeid
باحث رئيسي
دكتوراه
الملفات
اسم الملف
النوع
الوصف
30468.docx
docx
الرجوع إلى صفحة الأبحاث