تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية 
عنوان الوثيقة :
MOSFET لمادة الجاليومارسنيد المستخدم لوصلت الـ( III-V )علاقة التيار بالجهد للمركبات
I-V Characteristics of III-V Compounds (GAAS) for MOSFET Devices
 
الموضوع : الفيزياء 
لغة الوثيقة : الانجليزية 
المستخلص : في هذا البحث تم اتباع طريقة بحثيةمبسطة لحص ونمذجة الأغشية الرقيقة المنتجة بواسطة أجهزة التفريغ وقد تم اختيار تقنية مبسطة جداً لفحص هذه الأغشية والتي عملت على شكل أغشية رقيقة فقط وأغشية على شكل دوائر إلكترونية. وهذه التقنية عبارة عن استخدام جهاز بيكوأميتر (HP4140) وملحقاته وكانت النتائج في غاية الأهمية من ناحية التطبيقات الإليكترونية سواء في مجال المكبرات أو مجال الدوائر المتكاملة. 
ردمد : 1012-1319 
اسم الدورية : مجلة العلوم 
المجلد : 10 
العدد : 1 
سنة النشر : 1418 هـ
1998 م 
عدد الصفحات : 10 
نوع المقالة : مقالة علمية 
تاريخ الاضافة على الموقع : Sunday, October 11, 2009 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
سعيد سعد الاميرS. S. AL-AMEERباحث  
فهد مسعود المرزوقيF. ALMARZOUKIباحث  

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 22561.pdf pdf 

الرجوع إلى صفحة الأبحاث